ДВУХПЕРЕХОДНЫЕ AlxGa1-xP /GaP/ GayIn1-y P ФОТОДИОДЫ СЕЛЕКТИВНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ В ФИОЛЕТОВОЙ И БЛИЖНЕ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ПОЛОСАХ СПЕКТРА
(Стр. 24-26)

Подробнее об авторах
Абдукадыров Мухитдин Абдурашитович д-р техн. наук, профессор
Ташкентский университет информационных технологий Ахмедова Нодира Аминджановна канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий Ганиев Аброр Саттарович канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
Приведены структуры и фотоэлектрические свойства двухпереходных гетерофотодиодных структур на основе AlxGa1-xP (0≤x≤0.6) и GayIn1-yP (0.6≤y≤0.7), а также их основные параметры. Показано, что исследованные гетерофотодиоды обладают разделенной спектральной чувствительностью в фиолетовой и ультрафиолетовой (УФ) полосах спектра, перспективных в системах абсорбционного спектрофотометрического анализа и контроля горения органических веществ дифференциальным методом.
Образец цитирования:
Абдукадыров М.А., Ахмедова Н.А., Ганиев А.С., (2017), ДВУХПЕРЕХОДНЫЕ ALXGA1-XP /GAP/ GAYIN1-Y P ФОТОДИОДЫ СЕЛЕКТИВНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ В ФИОЛЕТОВОЙ И БЛИЖНЕ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ПОЛОСАХ СПЕКТРА. Computational nanotechnology, 3: 24-26.
Список литературы:
Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. ФТП. 1988. Т.32. №1.С. 3-18.
Хвостиков В.П., Власов А.С., Сорокина С.В., Потапович Н.С. Тимошина Н.Х., Щварц М.З., Андреев В.М. Высокоэффективный каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения. ФТП. 2011. Т.45. Вып.6. С.810-815
Немец В.М., Петров А.А., Соловьев А.А. Спектральный анализ неорганических веществ. М.Химия.1988. 240c.
Техника оптической связи. Фотоприемники. Пер.с англ. под.ред. У. Тсанга. М.Мир.1988. 526c.
Ключевые слова:
полупроводник, гетероструктура, фоточувствительность, фотоэлектрические свойства, гетерофотодиоды.