ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА GaAs/AlGaAs СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, «ПРОЗРАЧНЫХ» ЗА ДЛИННОВОЛНОВЫМ КРАЕМ ОСНОВНОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ
(Стр. 22-23)

Подробнее об авторах
Абдукадыров Мухитдин Абдурашитович д-р техн. наук, профессор
Ташкентский университет информационных технологий Ахмедова Нодира Аминджановна канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий Ганиев Аброр Саттарович канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий Муминов Рамизулла Абдуллаевич академик Академии наук республики Узбекистан, главный научный сотрудник
Физико-технический институт. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук республики Узбекистан
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
Работа посвящена исследованию тепловых свойств солнечных элементов на основе GaAs/AlGaAs/GaP гетероструктур с общей толщиной сильно поглощающего GaAs слоя, не превышающей суммы длины диффузии неосновных носителей заряда и двусторонней контактной сеткой. Показано, что на основе подобных гетероструктур можно реализовать солнечные элементы, работающие в режиме естественно-конвективного теплообмена до 100 кратной концентрации солнечного потока.
Образец цитирования:
Абдукадыров М.А., Ахмедова Н.А., Ганиев А.С., Муминов Р.А., (2017), ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА GAAS/ALGAAS СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, «ПРОЗРАЧНЫХ» ЗА ДЛИННОВОЛНОВЫМ КРАЕМ ОСНОВНОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ. Computational nanotechnology, 3: 22-23.
Список литературы:
Андреев В.М., Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Л.: Наука.1989. 310с.
Дульнев Г.Н., Парфенов В.Г., Сигалов А.В. Методы расчета теплового режима приборов. М.: Радио и связь. 1990. 312с.
Уфимцев Б.Ф., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М.: Металлургия. 1983. 211с.
Марина Л.И., Нашельский А.Я., Колесник Л.И. Полупроводниковые фосфиды АIIIВV и твердые растворы на их основе. М.: Металлургия.1974. 232с.
Ключевые слова:
гетероструктура, твердый раствор, ширина запрещенной зоны, узкозонный полупроводник коэффициент теплопроводности, температурный коэффициент.