Особенности электрофизических свойств гетеропереходов n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у(Ge2)x(ZnSe)y
(Стр. 73-79)

Подробнее об авторах
Зайнабидинов Сиражиддин Зайнабидинович доктор физико-математических наук, академик Академии Наук Республики Узбекистан; профессор
Андижанский государственный университет
Андижан, Республика Узбекистан Бобоев Акрамжон Йулдашбоевич кандидат физико-математических наук; доцент
Андижанский государственный университет
Андижан, Республика Узбекистан Абдурахимов Дилхаётжон Пулатжон угли докторант
Андижанский государственный университет
Андижан, Республика Узбекистан
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
Определены оптимальные технологические условия выращивания многокомпонентных эпитаксиальных пленок твердых растворов (GaAs)1 - x - у(Ge2)x(ZnSe) с заданными физическими свойствами методом жидкофазной эпитаксии. Установлено, что наиболее оптимальными являются приведенные условия выращивания тонких пленок из оловянного раствора-расплава в диапазоне значений температуры 730-630, 650-550 °С со скоростью охлаждения подложки 1 град/мин. При этом пленки имели толщину 10 мкм и p-тип проводимости. Для омических контактов к таким полупроводниковым твердым растворам использованы Sn, Au, In, сплавы (In-Ga) и (Ge-Ag). Определено, что подвижность носителей тока зависит от состава, структурного совершенства эпитаксиальных слоев и энергии ионизации атомов составляющих компонентов, которые имеют значения 0,19, 0,07, 0,029 эВ. Установлено, что в гетероструктурах типа n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у(Ge2)x(ZnSe)y, полученных при температуре 750 °С токопрохождение определяется туннельно-рекомбинационным зарядом, а в образцах, полученных при температуре 730 °С - токами ограниченными объемными зарядами. Определено также, что на гетерогранице образуется область с более высоким удельным сопротивлением, толщина которого в зависимости от условий роста тонких пленок, от 0,2 до 0,5 мкм.
Образец цитирования:
Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Абдурахимов Д.П., (2022), ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ N-GAAS-P-(GAAS)1 - X - У(GE2)X(ZNSE)Y. Computational nanotechnology, 2: 73-79. DOI: 10.33693/2313-223X-2022-9-2-73-79
Список литературы:
Саидов М.С. Электроактивность изовалентных примесей и фотовольтаический эффект // Гелиотехника. 2005. № 3. Cт. 67-72.
Londos C.A., Sgourou E.N., Hall D., Chroneos A. Vacancy-oxygen defects in silicon: the impact of isovalent doping // J. Mater Sci: Mater Electron. 2014. Vol. 25 (6). Pp. 2395-2410.
Pashartis C., Rubel O. Localization of electronic states in III-V semiconductor alloys: A comparative study // Physical Review Applied. 2017. Vol. 7 (6). Pp. 064011-(1-12).
Saidov A.S., Razzakov A.Sh., Risaeva V.A., Koschanov E.A. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1 - x(ZnSe)x // Materials Chemistry and Physics. 2001. Vol. 68 (1-3). Pр. 1-6.
Усмонов Ш.Н. Взаимодействие примесей в твердых растворах на основе кремния, арсенида галлия, селенида цинка, сернистого кадмия и электрофизические свойства гетероструктур, полученных на их основе: Дис. ... д-ра физ.-мат. наук. Ташкент: ФТИ, 2018. 220 с.
Марончук И.Е., Кулюткина Т.Ф., Марончук И.И., Быковский С.Ю. Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III-V // Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. 2012. Т. 10 (1). С. 77-88.
Бахадирханов М.К., Ортиков И.Б. Малый энциклопедический словарь по полупроводниковым материалам. Ташкент, 2006.
Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р., Хомяк В.В. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO-p-InSe // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып. 7. С. 935-938.
Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Лейдерман А.Ю. Исследование механизмов переноса тока в n-GaAs-р-(GaAs)1 - x - y (Ge2)x(ZnSe)y гетероструктур // Узбекский физический журнал. 2019. № 1. С. 14-21.
Ashith V.K., Priya K., Rao G.K. The electrical properties of n-CdS/p-CdTe and n-ZnS/p-CdTe heterojunctions fabricated by a combination of SILAR and vacuum deposition techniques // Physica B: Condensed Matter. 2021. No. 614. P. 413025.
Музафарова С.А., Мирсагатов Ш.А., Жанабергенов Ж. Механизм переноса тока в гетеропереходах n-CdS/p-CdTe // Физика твердого тела. 2007. Т. 49. Вып. 6. С. 1111-1116.
Goutam Kumar Dalapati et al. Defect analysis and performance evaluation of p-type epitaxial GaAs layer on Ge substrate for GaAs/Ge based advanced device // Adv. Mater. Lett. 2016. No. 7 (7). Pp. 517-524.
Shih-Hsuan Tang et al. Ge epitaxial films on GaAs (100), (110), and (111) substrates for applications of CMOS heterostructural integrations // Journal of Vacuum Science & Technology B. 2013. No. 31. P. 021203.
Chen Weidong. Gallium arsenide (100) and zinc selenide (100): Surfaces and interfaces with metals: Dis. ... Cand. Sci. (Philos.). Princeton University, 1995. P. 9528916.
Boboev A.Y., Kalanov M.U., Zainabidinov S.Z. et al. Research of current transport mechanism in n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - y (Ge2)x(ZnSe)y heterostructure at various temperatures // Доклады Академии наук PУз. 2016. № 6. С. 43-45.
Ключевые слова:
твердый раствор, гетероструктура, подвижность, концентрация, вольтамперная и вольт-емкостная характеристика, эпитаксиальная пленка, кристаллизация.