ДЕТЕКТОРЫ РЕНТГЕНОВСКОГО И ГАММА ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ Al-nGe-pSi-Au СТРУКТУРЫ
(Стр. 27-28)

Подробнее об авторах
Муминов Рамизулла Абдуллаевич академик Академии наук республики Узбекистан, главный научный сотрудник
Физико-технический институт. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук республики Узбекистан Раджапов Сали Аширович доктор физико-математических наук; главный научный сотрудник лаборатории полупроводниковых высокочувствительных датчиков
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Ташкент, Республика Узбекистан Тошмуродов Ёркин Кахрамонович аспирант
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз Раджапов Бекжан Салиевич аспирант
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
В данной работе представлены особенности производства детекторов ядерного излучения диаметром до 10 мм и толщиной до 1,4мм, на основе Al-nGe-pSi-Au структур. Показаны особенности вольтамперных и радиометрических характеристик.
Образец цитирования:
Муминов Р.А., Раджапов С.А., Тошмуродов Ё.К., Раджапов Б.С., (2017), ДЕТЕКТОРЫ РЕНТГЕНОВСКОГО И ГАММА ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ AL-NGE-PSI-AU СТРУКТУРЫ. Computational nanotechnology, 3: 27-28.
Список литературы:
Акимов Ю.К. и др. Полупроводниковые детекторы и экспериментальной физики. -М.: Энергатомиздат, 1989. -271с.
Ключевые слова:
полупроводниковый Al-nGe-pSi-Au детектор, монокристаллический кремний, чувствительная область, «мертвый» слой.