ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРЕПЕРЕХОДНЫХ СТРУКТУР Al-αGe-pSi-Au ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАЛОИНТЕНСИВНЫХ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
(Стр. 65-67)

Подробнее об авторах
Раджапов Сали Аширович доктор физико-математических наук; главный научный сотрудник лаборатории полупроводниковых высокочувствительных датчиков
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Ташкент, Республика Узбекистан Рахимов Рустам Хакимович доктор технических наук; заведующий лабораторией № 1
Институт материаловедения Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан Джапклич Мустафа канд. техн. наук
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз. Ташкент, Узбекистан Зуфаров Марс Ахмедович старший научный сотрудник
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз. Ташкент, Узбекистан Раджапов Бегжан Салиевич старший научный сотрудник
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
В данной работе рассмотрены технологические особенности изготовления детекторов ядерного излучения диаметром до 100 мм и толщиной до 0,5 мм, на основе Al-nGe-pSi-Au структур. Исследованы особенности вольтамперных и радиометрических характеристик детектора.
Образец цитирования:
Раджапов С.А., Рахимов Р.Х., Джапклич М.., Зуфаров М.А., Раджапов Б.С., (2018), ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРЕПЕРЕХОДНЫХ СТРУКТУР AL-ΑGE-PSI-AU ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАЛОИНТЕНСИВНЫХ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ. Computational nanotechnology, 3: 65-67.
Список литературы:
Раджапов С.А., Раджапов Б.С., Рахимов Р.Х. Особенности технология изготовление кремниевых поверхностно-барьерных детекторов большой чувствительной рабочей площадью для измерения активности естественных изотопов // Computational Nanotechnology, 2018. № 1. С. 151-154.
Муминов Р.А., Раджапов С.А., Раджапов Б.С., Зуфаров М., Мирзаев А.У. Исследование электрофизических и радиометрических характеристик кремниевых поверхностно-барьерных детекторов с большой чувствительной площадью // IV Международная конференция по «Оптическим и фотоэлектрическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах» 25-26 мая 2018 г. Фергана. С. 224-226.