THE DIFFERENCE BETWEEN THE CONTACT STRUCTURE WITH NANOSIZE INCLUSIONS FROM THE SEMICONDUCTOR PHOTODIODES
(Стр. 203-207)

Подробнее об авторах
Imamov Erkin Zununovich Dr. of sciences, Professor
Tashkent University of Information Technologies Djalalov Temur Asfandiyarovich a senior lecturer
Tashkent University of Information Technologies Muminov Ramizulla Abdullaevich Academician Uzbekistan Academy of sciences.
Institute of Physics and Technology, Scientific and Production Association «Physics-Sun» of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan Rakhimov Rustam Khakimovich PhD, head of laboratory №1.
Institute of materials science «Physics-sun». Uzbekistan Academy of sciences
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
In the complex of works [1] has developed a fundamentally new model of the contact structure, which is formed on the illuminated surface of silicon by spraying nanoinclusions with great electrical capacitance from another semiconductor. Photovoltaic converters based on the new contact structure exhibit unique electrical properties. In this paper we show the important structural differences between the new contact and the traditional semiconductor photodiodes.
Образец цитирования:
Imamov E.Z., Djalalov T.A., Muminov R.A., Rakhimov R.K., (2016), THE DIFFERENCE BETWEEN THE CONTACT STRUCTURE WITH NANOSIZE INCLUSIONS FROM THE SEMICONDUCTOR PHOTODIODES. Computational nanotechnology, 3: 203-207.
Список литературы:
E. Z. Imamov, T. A. Dzhalalov and R. A. Muminov/ Electrophysical Properties of the «Nano-object-semiconductor» new contact structure/ ISSN 1063-7842, Technical physics, 2015, Vol. 60, No. 5, pp. 740-745 © Pleiades Publishing, Lid., 2015.
T.A. Dzhalalov, E.Z. Imamov, R.A. Muminov/«The Electrical Properties of a SС with Multiple Nano scale p-n Transitions» //ISSN 0003701X, Applied Solar Energy, 2014, Vol. 50, No. 4, p.p. 228-232. © Allerton Press, Inc., 2014
R.A. Muminov, E.Z. Imamov, T.A. Jalalov / Condition and prospects of the problem of the direct transformation of the solar radiation in electric energy on base silicon photo transformation/ //Jorn. «Problems of energy and sources saving» (special issue) № 3-4. Tashkent, 2013, P.50-55.
Э.З. Имамов, Т.А. Джалалов, Р.А. Муминов, Р.Х. Рахимов // «Tеоретическая модель новой контактной структуры «нанообъект-полупроводник» // Jorn. «Computational nanotechnology», №4, 2015, C. 51-57.
E.Z. Imamov, T.A. Jalalov, R.A. Muminov, H.Kh. Rakhimov // The theoretical model of new contact structure «nanoobject-semicondactor» // Jorn. «Computational nanotechnology», №4, 2015, p.58-63.
В.И. Виссарионов и др. //Солнечная энергетика: учебное пособие для вузов //М. Изд. дом МЭИ. 2008 с. 324.
Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., и др. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры //ФТП.1998.Т.32.№4. С. 385-410.
Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Иванов С.В. и др. //Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах //УФН.1996. Т.166. №4. С. 423-428.
Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kop’ev P.S., BimbergD. /Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands / Phys.Rev.Lett.1995.V.75. №16. P. 2968-2971.
Рахимов Р.Х., Саидов М.С., Ермаков В.П. // Особенности синтеза функциональной керамики с комплексом заданных свойств радиационным методом. Часть 5. Механизм генерации импульсов функциональной керамикой // Jorn. «Computational nanotechnology», №2, 2016, C. 81-94.
Ключевые слова:
nanoscale «p-n junction».