УСТОЙЧИВОСТЬ АТОМНОЙ СТРУКТУРЫ НАНОСИСТЕМЫ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИИ
(Стр. 15-22)

Подробнее об авторах
Попов Александр Михайлович доктор физико-математических наук, профессор; факультет вычислительной математики и кибернетики
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова Шумкин Георгий Николаевич докторант, канд. физ.-мат. наук, факультет вычислительной математики и кибернетики
Московский Государственный Университет им. М. В. Ломоносова
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
В статье разрабатывается математическая модель фазового перехода из аморфного слабопроводящего состояния в кристаллического проводящее состояние. Исследование проводится методом квантовой молекулярной динамики. Проводится анализ структуры полупроводника, и оцениваются изменения проводимости и удельной теплоемкости при фазовом переходе. Найденный процесс моделируется с помощью модели сплошной среды с джоулевым источником нагрева. Изучается устойчивость решения нелинейной задачи теплопроводности в условиях, когда вольт-амперные характеристики находятся в области отрицательной дифференциальной проводимости. Обсуждаются особенности работы устройств памяти на фазовых переходах, связанные с неустойчивостью молекулярной системы.
Образец цитирования:
Попов А.М., Шумкин Г.Н., (2017), УСТОЙЧИВОСТЬ АТОМНОЙ СТРУКТУРЫ НАНОСИСТЕМЫ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИИ. Computational nanotechnology, 1: 15-22.
Список литературы:
Handbook of Theoretical and Computational Nanotechnology, Third Edition by Michael Rieth and Wolfram Schommers, Karlsruhe, Germany, 10-Volume Set, 2006, 8000 p.
Nano and Molecular Electronics, Handbook, Edited by Sergey Edward Lyshevski,.- CRC Press, Taylor and Francis Group, (2007)
Abu Sebastian, Andrew Pauza, Christophe Rossel, Robert M Shelby, Arantxa Fraile Rodriguez, Haralampos Pozidis and Evangelos Eleftheriou,.- New Journal of Physics (2011)
Л.Д. Ландау и Е.М. Лифшиц, Статистическая физика, том V, Изд. Наука, Москва, 568 c., 1964.
А.Ф. Волков, Ш.M. Коган, Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью, УФН, том 96, вып.4, 1968.
Б.Б. Кадомцев, Коллективные явления в плазме, Изд. Наука, Москва, 304 c., 1988.
G.N. Shumkin, F.Zipoli, A.M. Popov, A.Curioni, Multiscale quantum simulation of resistance switching in amorphous carbon, Procedia Computer Science, 9, 2012, pp. 641-650.
R. Car and M. Parrinello, Unified approach for molecular dynamics and density-functional theory. Phys.Rev.Lett., 1985,pp. 2471-2474.
В.И. Иванов-Омский, А.Б. Лодыгин, С.Г. Ястребов, Сканирующая туннельная спектроскопия аморфного углерода: модель туннелирования. Письма в ЖТФ, том 25, вып. 24 , с. 66-71, 1999.
G.N. Shumkin, A.M. Popov, A.Curioni, T. Laino, A multiscale modelling of naphthalocyanine-based molecular switch, Procedia Computer Science 1 (1) pp. 185-192, 2010.
Standley B., Bao W., Zhang H., et al. Graphene-based atomic-scale switches, Nano Lett. , pp. 3345-3349, 2008.
Meijer G., Who wins the non-volatile memory race? Science , pp.1625-1626, 2008.
Marks N.A., McKenzie D.R., Pailthorpe B.A., Bernasconi M., Parrinello М., Ab initio simulations of tetrahedral amorphous carbon. Phys. Rev. B , N.14, pp.9703-9714, 1996.
Takai K, Oga M, Sato H, et. al. Structure and electronic properties of a nongraphitic disordered carbon system and its heat-treatment effects. Phys. Rev. B , 214202, 2003.
Yu He, Jinyu Zhang, Ximeng Guan, et. al. Molecular Dynamics Study of the Switching Mechanism of Carbon-Based Resistive Memory. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Vol. 57, N. 12, pp.3434-3441, 2010.
Ivanov-Omskii V.I., Lodygin A.B., Yastrebov S.G., Chelnokov V.E., Journ. of Chemical Vapour Deposition. V.5, p. 198, 1997.
Averin D.V., Likharev K.K., Single-electron Tunnelling and Mesoscopic Devices. Ed. by H. Koch, H. Lubbig, Springer-Verlag, Berlin, p.3, 1992.
W.Andreoni and A.Curioni New Advances in Chemistry and Materials Science with CPMD and Parallel Computing Parallel Computing, , pp. 819-842, 2000.
The CPMD consortium: http://www.cpmd.org.2010.
Popov, A. M., Shumkin, G. N., Nikishin, N. G., Multiscale simulation of thermal disruption in resistance switching process in amorphous carbon, Journal of Phys.: Conf. Series, Volume 640(1), 012027, 2015
W. Kohn, Density Functional and Density Matrix Method Scaling Linearly with the Number of Atoms, Phys.Rev.Lett., ,p. 3168, 1996.
P. R. Wallace, The Band Theory of Graphite. Phys. Rev. , p. 622, 1947.
Ключевые слова:
фазовый переход, память на фазовых переходах, квантовая молекулярная динамика, нелинейная задача теплопроводности.