ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ А3В5
(Стр. 40-44)

В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.

Сычикова Я.А., (2016), ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ А3В5. Computational nanotechnology, 1 => 40-44.

Новиков Е. А. Функционалы и метод случайных сил в теории турбулентности // ЖЭТФ. - 1964. Т. 47, № 5. - С. 1919 -1926.
Сычикова Я.А. Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия // Физическая инженерия поверхности. - 2010. - Т.8, №3. - С. 259 - 264.
Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Балан О.С., Сукач Г.О. Тестурування поверхні фосфіду індію // Журнал нано- і електроної фізики. - 2010, №1. - С. 84 - 88.
Сичікова Я.О., Кідалов В.В., Сукач Г.О., Кірілаш О.І. Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів p-InP та p-GaAs // Електроніка та зв'язок. - 2010. - Т. 4, № 57. - С. 34 - 36.
Кляцкин В. И. Стохастические уравнения глазами физика. Основные положения,точные результаты и асимптотические приближения. - М.: Физматлит, 2001.
Кляцкин В., Гурарий Д. Когерентные явления в стохастических динамическихсистемах // УФН. - 1999. Т. 169, № 2. - С. 171 - 207.
Nicolis G., Prigogin I. Exploring Complexity, an Introduction - N. Y.: W. H. Freeman and Company, 1989.
Isichenko M. B. Percolation, statistical topography, and transport in random media // Rev. Modern Phys. - 1992. V. 64, № 4. - P. 961 - 1043
Ареф Х. Развитие хаотической адвекции // Нелинейная динамика. - 2006. Т. 2, № 1. - С. 111 - 133.
Михайлов А. С., Упоров И. В. Критические явления в средах с разложением, распадом и диффузией // УФН. - 1984. Т. 144, № 3. - С. 79 - 112.

полупроводники, электрохимическое травление, кластеры, поры, стохастические системы, когерентные явления.