ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ p-Si-n-(Si2)1 - x - y (Ge2)x (ZnSe)y -СТРУКТУР ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ
(Стр. 16-21)

Подробнее об авторах
Саидов Амин Сафарбаевич доктор физико-математических наук, профессор; главный научный сотрудник
Физико-технический институт. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук республики Узбекистан Амонов Кобил Ашрафович старший научный сотрудник
Физико-технический институт. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук республики Узбекистан Лейдерман Ада Юльевна доктор физико-математических наук, профессор; главный научный сотрудник
Физико-технический институт. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук республики Узбекистан
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
Показана возможность выращивания твердого раствора (Si2)1 - x - y (Ge2)x (ZnSe)y на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из раствора - расплава. Вольтамперная характеристика гетероструктур при комнатной температуре имеет три участка: омический - I ~ V, экспоненциальный - I ~ exp (qV / ckT ), и кубическую зависимость - I ~ V3, которая с ростом температуры сменяется более слабыми зависимостями - I ~ V2,8, I ~ V2,5 и I ~ V2,3 при температурах 360, 390 и 420 К, соответственно. Экспериментальные результаты объясняются на основе теоретических представлений о сложном характере рекомбинационных процессов в таких материалах.
Образец цитирования:
Саидов А.С., Амонов К.А., Лейдерман А.Ю., (2019), ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ P-SI-N-(SI2)1 - X - Y (GE2)X (ZNSE)Y -СТРУКТУР ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ. Computational nanotechnology, 3: 16-21. DOI: 10.33693/2313-223X-2019-6-3-16-21
Список литературы:
Saidov A.S. The tenth Intern. Conf. on Crystal Growth. California, 1992. Р. 30.
Cаидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 2. С. 12.
Saidov А.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Asatova U.P. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. № 7. Р. 938-945.
Saidov A.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Leiderman A.Yu., Kalanov M.U., Gaimnazarov K.G., Kurmantaev A.N. // Physics of the Solid State. 2011. Vol. 53. № 10. Р. 2012-2021.
Saidov A.S., Usmonov Sh.N., Saidov M.S. // Semiconductors. 2015. Vol. 49. № 4, Р. 547-550.
Saidov A.S., Saidov M.S., Usmonov Sh.N., Kholikov К.Т., Saparov D.V. // Applied Solar Energy. 2008. Vol. 44. № 3б. Р. 188-189.
Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов // Сов. Радио. М., 1975.
Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Т. II. М.: Металлургиздат, 1962.
Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев Арсенида Галлия и твердых растворов на его основе. Ташкент: Фан, 1986.
Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М., Сов. Радио, 1978. 320 с.
Leiderman A.Yu., Minbaeva M.K. Mechanism of rapid growth of the direct current in semiconductor diode structures // Semiconductors. 1996. № 30 (10). Р. 905-909.
Стафеев В.И. // ЖТФ. 1958. Т. 28. № 8. С. 1631-1641.
Сапаев Б., Саидов А.С., Заверюхин Б.Н. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 2. С. 25-32.
Мейлихов Е.З., Лазарев С.Д. Электрофизические свойства полупроводников: справочник физических величин. М.: ЦНИИ Атоминформ, 1987. 87 с.
Lampert M.A., Mark P. Current injection in solids. Academic press, New York and London. 1970. Р. 222.
Шейкман М.К., Корсунская Н.Е. Фотохимические реакции в полупроводниках типа AIIBIV. В кн: Физика соединений AIIBIV. М.: Наука, 1986. С. 109-145.
Лейдерман А.Ю., Саидов А.С., Хашаев М.М., Рахмонов У.Х. // Альтернативная энергетика и экология. 2015. № 7 (171). С. 55-69.
Leyderman A.Yu., Saidov A.S., Khashaev M.M., Rakhmonov U.Kh. // Journal of Material Science Research. 2013. Vol. 2. № 2. Р. 14-21.