ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НЕУСТОЙЧИВОСТИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКА В ТОЧКАХ БИФУРКАЦИИ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
(Стр. 41-47)

Подробнее об авторах
Попов Александр Михайлович доктор физико-математических наук, профессор; факультет вычислительной математики и кибернетики
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
Работа посвящена численному моделированию неустойчивости молекулярной наноструктуры полупроводника в точках бифуркации вольт-амперной характеристики имеющей S-форму. Исследование имеет важное значение для разработки памяти, основанной на фазовых переходах в полупроводнике. Проводится анализ модели, которая может быть положена в основу переключательного поведения молекулярной структуры наноточки. Предложена многомасштабная модель цикла работы устройства. Модель объединяет квантовую молекулярную динамику Кар-Парринелло (CPMD) с анализом динамики системы в особых точках (точках бифуркации) S-образной вольт-амперной характеристики полупроводника с отрицательной дифференциальной проводимостью. Показано, что выбранный подход позволяет моделировать полный цикл переключательного поведения наноустройств памяти основанных на фазовых переходах.
Образец цитирования:
Попов А.М., (2018), ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НЕУСТОЙЧИВОСТИ МОЛЕКУЛЯРНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКА В ТОЧКАХ БИФУРКАЦИИ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ. Computational nanotechnology, 4: 41-47.
Список литературы:
Коломиец Б.Т. Свойства и структура тройных полупроводниковых систем // Журнал технической физики. 1955. Вып. 25 № 6. С. 984-994.
Ovshinsky S.R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures // Phys. Rev. Lett. 1968. Vol. 21. No 20. Pp. 1450-1453.
Meijer G. Who wins the nonvolatile memory race? // Science. 2008. 319. Рр. 1625-1626.
Rieth M., Schommers W. Handbook of Theooretical and Computation Nanotechnology, Germany, 2006.
Попов А.М. Вычислительные нанотехнологии. М.: КноРус, 2014. 312 c.
Sebastian A., Pauza A., Rossel Ch. et al. New Journal of Physics. 2011. 13.
Shumkin G.N., Zipoli F., Popov A.M., Curioni A. Multiscale quantum simulation of resistance switching in amorphous carbon // Procedia Computer Science. 2012. 9. Рр. 641-650.
Popov A.M., Shumkin G.N., Nikishin N.G. Multiscale simulation of thermal disruption in resistanсe switching process in amorphous carbon // Journal of Phys.: Conf. Series. 2015. Vol. 640 (1). Рр. 012027.
Andreoni W., Curioni A. New Advances in Chemistry and materials Science with CPMD and Parallel Computing // Parallel Computing. 2000. 26. Рp. 819-842.
Волков А.Ф., Коган Ш.М. Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // УФН. 1968. Т. 96. Вып. 4.
Кадомцев Б.Б. Коллективные явления в плазме. М.: Наука, 1988. С. 304.
Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1977.
Marks N.A., McKenzie D.R., Pailthorpe B.A., Bernasconi M., Parrinello M. Ab initio simulations of tetrahedral amorphous carbon // Phys. Rev. B. 1996. 54 (14). Рp. 9703-9714.
Takai K., Oga M., Sato H. et. al. Structure and electronic properties of nongraphitic disorded carbon system and its heat-treatment effects // Phys. Rev. B. 2003. 67. 47. Р. 214202.
Wallace P.R. The Band Theory of Graphite // Phys. Rev. 1947. 71. Р. 622.
Антонов И.Н., Пивоваров А.В., Зотов В.Д. Колебания и волны в плазме полупроводников с винтовой неустойчивостью // Прикладная физика. 2007. № 3. Р. 46.
Макарова Т.Л. Магнитные свойства углеродных структур // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 6. С. 641-665.