ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ ДЕТЕКТОРОВ БОЛЬШОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ РАБОЧЕЙ ПЛОЩАДЬЮ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ АКТИВНОСТИ ЕСТЕСТВЕННЫХ ИЗОТОПОВ
(Стр. 151-154)

Подробнее об авторах
Раджапов Сали Аширович доктор физико-математических наук; главный научный сотрудник лаборатории полупроводниковых высокочувствительных датчиков
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Ташкент, Республика Узбекистан Раджапов Бегжан Салиевич старший научный сотрудник
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз Рахимов Рустам Хакимович доктор технических наук; заведующий лабораторией № 1
Институт материаловедения Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
В статье рассмотрены вопросы особенностей разработки технологии изготовления поверхностно-барьерных детекторов (ПБД) большого диаметра, а также исследования электрофизических и радиометрических характеристик.
Образец цитирования:
Раджапов С.А., Раджапов Б.С., Рахимов Р.Х., (2018), ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ ДЕТЕКТОРОВ БОЛЬШОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ РАБОЧЕЙ ПЛОЩАДЬЮ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ АКТИВНОСТИ ЕСТЕСТВЕННЫХ ИЗОТОПОВ. Computational nanotechnology, 1: 151-154.
Список литературы:
Акимов Ю.К. и др. Полупроводниковые детекторы и экспериментальной физики. М.: Энергатомиздат, 1989. 271 с.
Азимов С.А., Муминов Р.А., Шамирзаев С.Х., Яфасов А.Я. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения. Ташкент: Фан, 1981. 257 с.
Раджапов С.А. Особенности физических процессов формирования кремний-литиевого детектора ядерного излучения с большой чувствительной областью // Автореф. дис. д-ра ф.-м. наук. - Ташкент, 2010.
Muminov R.A., Radzhapov S.A., and Saimbetov A.K. Developing Si (Li) Nuclear Radiation Detectors by Pulsed Electric Field Treatment // Technical Physics Letters. New York, 2009. Vol. 35, № 8. Рp. 768-769.
Patent RUz № IAP 04073 Muminov R.A., Radzhapov S.A., Pindyurin Y.S., Saymbetov A.K. Method for manufacturing a Si (Li) pin Structure, 2012.
Ключевые слова:
полупроводниковый поверхностно-барьерный детектор, монокристаллический кремний n-типа, альфа излучение.