ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОРИСТОГО ФОСФИДА ИНДИЯ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ КВАНТОВЫМИ ПЕРЕХОДАМИ В ОБЪЕМНО-ОГРАНИЧЕННЫХ СЛОЯХ
(Стр. 25-31)

Подробнее об авторах
Сычикова Яна Александровна кандидат физико-математических наук, доцент
Бердянский государственный педагогический университет
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
Задачи. В настоящее время особое внимание уделяется изучению свойств пористого InP, благодаря перспективам использования его в качестве материала для создания свето-эмиссионных диодов и солнечных батарей. В настоящей работе обсуждается природа спектров ФЛ пористого фосфида индия и ее зависимость от степени пористости образцов. Методы. Спектры фотолюминесценции регистрировались с помощью спектральной установки КСВУ-23 при комнатной температуре. В качестве источника возбуждения использовался полупроводниковый лазер с длиной волны 375 нм. Химический состав был изучен при помощи метода EDAX, дифрактометрические исследования проводились с помощью дифрактометра ДРОН-3М. Выводы. Спектры фотолюминесценции пористых слоев InP n-типа характеризуется полосой ФЛ в видимой части спектра с максимумом в области (535 - 560) нм, которая связана с квантоворазмерными эффектом в нанокристаллитов пористого InP и полосой в области (410 - 460) нм, которая связана с наличием оксидов на поверхности пористого слоя. Практическое значение. Настоящие исследования позволят приблизиться к пониманию природы ФЛ пористых материалов. Это является необходимым условием для создания светоизлучающих устройств на основе por-InP.
Образец цитирования:
Сычикова Я.А., (2015), ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОРИСТОГО ФОСФИДА ИНДИЯ, ОБУСЛОВЛЕННАЯ КВАНТОВЫМИ ПЕРЕХОДАМИ В ОБЪЕМНО-ОГРАНИЧЕННЫХ СЛОЯХ. Computational nanotechnology, 1: 25-31.
Список литературы:
Сычикова Я.А., Кидалов В.В., Сукач Г.А. Влияние типа аниона электролита на морфологию пористого InP, полученного методом электролитического травления / Журнал нано- и электронной физики. 2009. Т. 1, № 4. С. 69-77.
Christophersen M., Langa S., Carstensen J., Tiginyanu I. Foll H.A comparison of pores in silicon and pores in III-V compound materials / M. Christophersen, Phys. Stat. Sol. (a). 2003. V.197, №1. P.197-203.
Domashevskaya E.P., Kashkarov V.M., Seredin P.V., Terekhov V.A., Turishchev S.Yu., Arsentyev I.N., Ulin V.P. Investigations of porous InP properties by XRD, IR, USXES, XANES and PL techniques / Materials Science and Engineering B. 2008. V.147. Р. 144-147.
Langa S. Self-Induced Voltage Oscillations during Anodic Etching of n-InP and Possible Applications for Three-Dimensional Microstructures / Electrochemical and Solid-State Letters.2001.V. 4, №6. P. G50-G52.
Langa S., Carstensen J., Christophersen M., Steen K., Frey S., Tiginyanu I., Foll H. Uniform and Nonuniform Nucleation of Pores during the Anodization of Si, Ge, and III-V Semiconductors / Journal of The Electrochemical Society. 2005. V.152, №8. P.525-531.
Schlierf U., Lockwood D., Grahamb M., Schmuki P. Structural and optical properties of p-InP (100) anodized in halogenic acids /Electrochimica Acta. 2004.№49. Р 1743-1749.
Schmuki P., Schlierf U., Herrmann T., Champion G. Pore initiation and growth on n-InP (100) Electrochimica Acta. 2003. № 48. Р. 1301-1308.
Ключевые слова:
пористый фосфид индия, электрохимическое травление, фотолюминесценция, наноструктуры, оксиды.