Двухстадийный механизм образования поверхностных наноструктур при осаждении атомов
(Стр. 37-50)

Подробнее об авторах
Емельянов Владимир Ильич доктор физико-математических наук, профессор Физического факультета Тархов Андрей Евгеньевич студент Физического факультета
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
Развит двухстадийный механизм образования упорядоченных поверхностных наноструктур при осаждении атомов. На первой стадии, происходит кооперативная дефектно-деформационная (ДД) нуклеация затравочной наноструктуры, описываемая оригинальным детерминированным ДД уравнением типа уравнения Курамото-Сивашинского(КС) для концентрации мобильных адатомов (поверхностных дефектов). Поверхностный рельеф, образованный на стадии нуклеации, связанный с деформационным потенциалом поверхностного дефекта, служит самоорганизованной маской для последующего роста наноструктр, описываемого обычным уравнением Кардара-Паризи-Жанга-(КПЖ) для высоты рельефа. Компьютерные решения нелинейных ДДКС и КПЖ уравнений описывают двухстадийное образование, в зависимости от знака потенциала деформации поверхностного дефекта, неупорядоченных и гексагонально упорядоченных ансамблей наночастиц или сотовых наноструктур пор. Показано, что взаимодействие пространственных ДД гармоник на стадии кооперативной нуклеации играет ключевую роль в определении характеристик наноструктур.
Образец цитирования:
Емельянов В.И., Тархов А.Е., (2015), ДВУХСТАДИЙНЫЙ МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ НАНОСТРУКТУР ПРИ ОСАЖДЕНИИ АТОМОВ. Computational nanotechnology, 4: 37-50.
Список литературы:
V. A. Shchukin and D. Bimberg, Rev. Mod. Phys. 71, 1125 (1999).
Y. Kuramoto, Chemical Oscillations, Waves and Turbulence (Springer, Berlin, 1984).
G. I. Sivashinsky, Ann. Rev. Fluid Mech. 15, 179 (1983).
J. M.Garcia, L. Vazquez, R. Cuerno, J. A. Garcia, M. Castro, R. Gago, “Towards Functional Nanomaterials,” in Lecture Notes on Nanoscale Science and Technology, Ed. by Z. Wang (Springer, Heidelberg, 2009).
A.G. Limonov, Mathematical Models and Computer Simulations, 3, N2, 149 (2011).
J. Reif, O. Varlamova, S. Varlamov, M. Bestehorn, Appl. Phys. A, 104, 969 (2011).
V.I. Emel’yanov, Laser Physics, 2009, Vol. 19, No. 3, pp. 538-543.
V.I. Emel’yanov, in Laser ablation in liquids, Principles and applications in the preparation of nanomaterials, edited by G. Yang (Pan Stanford Publ., Singapore, 2012), Chap. 1, pp. 1-109.
V. I. Emel’yanov, A. I. Mikaberidze, Phys. Rev. B72, 235407 (2005).
V.I. Emel’yanov, A.S. Kuratov, Eur. Phys. J. B86, 270 (2013).
V.I. Emel’yanov, A.S, Kuratov, Eur. Phys. J. B86, 381 (2013).
M. Kardar, G. Parisi, Y.C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 56, 889 (1986).
A.B. Al’shin, E.A. Al’shina, A.G. Limonov, Comput. Math. Math. Phys. 49, 261 (2009).
S.M. Cox, P.C. Matthews, J. of Comput. Phys., 176, 430 (2002).
A. Kumar, B. Poelsema, H.J. Zandvliet, J. Phys. Chem. C 115, 6726 (2011).
A.O. Er, H.E. Elsayed-Ali, J. of Appl. Phys. 108, 034303 (2010).
S. Facsko, T. Bobek, A. Stahl, H. Kurz, T. Dekorsky, Phys. Rev. B69, 153412 (2004).
T.C. Kim, C.M. Ghim, H.J. Kim, D.H. Kim, D.Y. Noh, N.D. Kim, J.W. Chung, J.S. Yang, Y.J. Chang, T.W. Noh, B. Kahng and J.-S. Kim, Phys. Rev. Lett. 92, 246104 (2004).
V.I. Emel’yanov, Laser Physics, 2011, Vol. 21, No. 1, pp. 222-228.
M.S. Hegazy, H.E. Elsayed-Ali, J. Appl. Phys. 104, 124302 (2008).-
Ключевые слова:
осаждение атомов, образование гексагонально упорядоченных ансамблей наночастиц и сотовых наноструктур пор, компьютерное моделирование.