ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА GaAs/AlGaAs СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, «ПРОЗРАЧНЫХ» ЗА ДЛИННОВОЛНОВЫМ КРАЕМ ОСНОВНОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ
(Стр. 22-23)
Абдукадыров Мухитдин Абдурашитович
Ахмедова Нодира Аминджановна
Ганиев Аброр Саттарович
Муминов Рамизулла Абдуллаевич
Подробнее об авторах
Абдукадыров Мухитдин Абдурашитович
д-р техн. наук, профессор
Ташкентский университет информационных технологий Ахмедова Нодира Аминджановна канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий Ганиев Аброр Саттарович канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий Муминов Рамизулла Абдуллаевич
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан
Ташкентский университет информационных технологий Ахмедова Нодира Аминджановна канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий Ганиев Аброр Саттарович канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий Муминов Рамизулла Абдуллаевич
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан
Нажимая на кнопку купить вы соглашаетесь с условиями договора оферты
Уважаемый покупатель, статья находится в архивном доступе. По факту оплаты для ее получения отправьте запрос по электронной почте urvak@urvak.ru
Аннотация:
Работа посвящена исследованию тепловых свойств солнечных элементов на основе GaAs/AlGaAs/GaP гетероструктур с общей толщиной сильно поглощающего GaAs слоя, не превышающей суммы длины диффузии неосновных носителей заряда и двусторонней контактной сеткой. Показано, что на основе подобных гетероструктур можно реализовать солнечные элементы, работающие в режиме естественно-конвективного теплообмена до 100 кратной концентрации солнечного потока.
Образец цитирования:
Абдукадыров М.А., Ахмедова Н.А., Ганиев А.С., Муминов Р.А., (2017), ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА GAAS/ALGAAS СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, «ПРОЗРАЧНЫХ» ЗА ДЛИННОВОЛНОВЫМ КРАЕМ ОСНОВНОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ. Computational nanotechnology, 3 => 22-23.
Список литературы:
Андреев В.М., Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Л.: Наука.1989. 310с.
Дульнев Г.Н., Парфенов В.Г., Сигалов А.В. Методы расчета теплового режима приборов. М.: Радио и связь. 1990. 312с.
Уфимцев Б.Ф., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М.: Металлургия. 1983. 211с.
Марина Л.И., Нашельский А.Я., Колесник Л.И. Полупроводниковые фосфиды АIIIВV и твердые растворы на их основе. М.: Металлургия.1974. 232с.
Дульнев Г.Н., Парфенов В.Г., Сигалов А.В. Методы расчета теплового режима приборов. М.: Радио и связь. 1990. 312с.
Уфимцев Б.Ф., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М.: Металлургия. 1983. 211с.
Марина Л.И., Нашельский А.Я., Колесник Л.И. Полупроводниковые фосфиды АIIIВV и твердые растворы на их основе. М.: Металлургия.1974. 232с.
Ключевые слова:
гетероструктура, твердый раствор, ширина запрещенной зоны, узкозонный полупроводник коэффициент теплопроводности, температурный коэффициент.
Статьи по теме
Разработка функциональных наноматериалов на основе наночастиц и полимерных наноструктур Страницы: 73-79 DOI: 10.33693/2313-223X-2022-9-2-73-79 Выпуск №21224
Особенности электрофизических свойств гетеропереходов n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у(Ge2)x(ZnSe)y
твердый раствор
гетероструктура
подвижность
концентрация
вольтамперная и вольт-емкостная характеристика
Подробнее
3. Наноструктурированные материалы Страницы: 24-26 Выпуск №10450
ДВУХПЕРЕХОДНЫЕ AlxGa1-xP /GaP/ GayIn1-y P ФОТОДИОДЫ СЕЛЕКТИВНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ В ФИОЛЕТОВОЙ И БЛИЖНЕ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ПОЛОСАХ СПЕКТРА
полупроводник
гетероструктура
фоточувствительность
фотоэлектрические свойства
гетерофотодиоды
Подробнее
