ДВУХПЕРЕХОДНЫЕ AlxGa1-xP /GaP/ GayIn1-y P ФОТОДИОДЫ СЕЛЕКТИВНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ В ФИОЛЕТОВОЙ И БЛИЖНЕ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ПОЛОСАХ СПЕКТРА
(Стр. 24-26)
Подробнее об авторах
Абдукадыров Мухитдин Абдурашитович
д-р техн. наук, профессор
Ташкентский университет информационных технологий Ахмедова Нодира Аминджановна канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий Ганиев Аброр Саттарович канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий
Ташкентский университет информационных технологий Ахмедова Нодира Аминджановна канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий Ганиев Аброр Саттарович канд. физ.-мат. наук, доцент
Ташкентский университет информационных технологий
Нажимая на кнопку купить вы соглашаетесь с условиями договора оферты
Уважаемый покупатель, статья находится в архивном доступе. По факту оплаты для ее получения отправьте запрос по электронной почте urvak@urvak.ru
Аннотация:
Приведены структуры и фотоэлектрические свойства двухпереходных гетерофотодиодных структур на основе AlxGa1-xP (0≤x≤0.6) и GayIn1-yP (0.6≤y≤0.7), а также их основные параметры. Показано, что исследованные гетерофотодиоды обладают разделенной спектральной чувствительностью в фиолетовой и ультрафиолетовой (УФ) полосах спектра, перспективных в системах абсорбционного спектрофотометрического анализа и контроля горения органических веществ дифференциальным методом.
Образец цитирования:
Абдукадыров М.А., Ахмедова Н.А., Ганиев А.С., (2017), ДВУХПЕРЕХОДНЫЕ ALXGA1-XP /GAP/ GAYIN1-Y P ФОТОДИОДЫ СЕЛЕКТИВНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ В ФИОЛЕТОВОЙ И БЛИЖНЕ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ПОЛОСАХ СПЕКТРА. Computational nanotechnology, 3 => 24-26.
Список литературы:
Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. ФТП. 1988. Т.32. №1.С. 3-18.
Хвостиков В.П., Власов А.С., Сорокина С.В., Потапович Н.С. Тимошина Н.Х., Щварц М.З., Андреев В.М. Высокоэффективный каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения. ФТП. 2011. Т.45. Вып.6. С.810-815
Немец В.М., Петров А.А., Соловьев А.А. Спектральный анализ неорганических веществ. М.Химия.1988. 240c.
Техника оптической связи. Фотоприемники. Пер.с англ. под.ред. У. Тсанга. М.Мир.1988. 526c.
Хвостиков В.П., Власов А.С., Сорокина С.В., Потапович Н.С. Тимошина Н.Х., Щварц М.З., Андреев В.М. Высокоэффективный каскад фотопреобразователей в системе со спектральным расщеплением солнечного излучения. ФТП. 2011. Т.45. Вып.6. С.810-815
Немец В.М., Петров А.А., Соловьев А.А. Спектральный анализ неорганических веществ. М.Химия.1988. 240c.
Техника оптической связи. Фотоприемники. Пер.с англ. под.ред. У. Тсанга. М.Мир.1988. 526c.
Ключевые слова:
полупроводник, гетероструктура, фоточувствительность, фотоэлектрические свойства, гетерофотодиоды.
Статьи по теме
3. Наноструктурированные материалы Страницы: 22-23 Выпуск №10450
ТЕПЛОВЫЕ СВОЙСТВА GaAs/AlGaAs СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, «ПРОЗРАЧНЫХ» ЗА ДЛИННОВОЛНОВЫМ КРАЕМ ОСНОВНОЙ ПОЛОСЫ ПОГЛОЩЕНИЯ
гетероструктура
твердый раствор
ширина запрещенной зоны
узкозонный полупроводник коэффициент теплопроводности
температурный коэффициент
Подробнее
Разработка функциональных наноматериалов на основе наночастиц и полимерных наноструктур Страницы: 73-79 DOI: 10.33693/2313-223X-2022-9-2-73-79 Выпуск №21224
Особенности электрофизических свойств гетеропереходов n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у(Ge2)x(ZnSe)y
твердый раствор
гетероструктура
подвижность
концентрация
вольтамперная и вольт-емкостная характеристика
Подробнее
7. НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ Страницы: 50-51 Выпуск №9439
СВОЙСТВА GaAs/AlGaAs ГЕТЕРОФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С ГОЛОГРАФИЧЕСКИМ КОНЦЕНТРАТОРОМ
солнечный элемент
полупроводник
арсенид галлия
спектральный диапазон
ток короткого замыкания
Подробнее
05.14.08 ЭНЕРГОУСТАНОВКИ Страницы: 83-90 Выпуск №12384
ИССЛЕДОВАНИЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР СО ВСТРЕЧНО ВКЛЮЧЕННЫМИ ПЕРЕХОДАМИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ИЗМЕРИТЕЛЯХ ЗАТУХАНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ МОЩНОСТИ
оптический сигнал
фотодиод
фототранзистор
фоточувствительность
фотодиодная структура
Подробнее
