ИССЛЕДОВАНИЯ НЕКОТОРЫХ ЯВЛЕНИЙ В АФН-СТРУКТУРАХ С ИЗОВАЛЕНТНЫМИ ПРИМЕСЯМИ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ПРИБОРОВ И УСТРОЙСТВ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ И ИЗМЕРЕНИЯ
(Стр. 72-75)
Касимахунова Анархан Мамасадиковна
Найманбаев Рахмонали
Мамадалиева Лола Камилджановна
Нурдинова Разияхон Абдихаликовна
Олимов Шоирбек Абдукоххорович
Подробнее об авторах
Касимахунова Анархан Мамасадиковна
профессор, доктор технических наук
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан Найманбаев Рахмонали доцент, кандидат технических наук
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан Мамадалиева Лола Камилджановна доцент, кандидат технических наук
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан Нурдинова Разияхон Абдихаликовна докторант
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан Олимов Шоирбек Абдукоххорович докторант
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан Найманбаев Рахмонали доцент, кандидат технических наук
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан Мамадалиева Лола Камилджановна доцент, кандидат технических наук
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан Нурдинова Разияхон Абдихаликовна докторант
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан Олимов Шоирбек Абдукоххорович докторант
Ферганский политехнический институт. Фергана, Узбекистан
Нажимая на кнопку купить вы соглашаетесь с условиями договора оферты
Аннотация:
В данной работе представлено полупроводниковые пленки, легированные изовалентными примесями с аномально большим фотоэлектрический эффектом. Представлено АФН-фотоприемник автономного типа со стабильными параметрами и хорошими деградационными характеристиками и в результате разработаны оптоэлектронные измерительные трансформаторы напряжения (ОИТН) и тока (ОИТТ).
Образец цитирования:
Касимахунова А.М., Найманбаев Р.., Мамадалиева Л.К., Нурдинова Р.А., Олимов Ш.А., (2018), ИССЛЕДОВАНИЯ НЕКОТОРЫХ ЯВЛЕНИЙ В АФН-СТРУКТУРАХ С ИЗОВАЛЕНТНЫМИ ПРИМЕСЯМИ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ПРИБОРОВ И УСТРОЙСТВ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ И ИЗМЕРЕНИЯ. Computational nanotechnology, 2 => 72-75.
Список литературы:
Равич Ю.И. ФТТ, 1962. 4, № 9. С. 2411.
Равич Ю.И. Фотомагнитный эффект полупроводниках и его применение. М.: Советское радио, 1967.
Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника / под. ред. Э.И. Адировича. Ташкент: ФАН, 1972. С. 143-229.
Найманбоев Р. Изв. АН УзССР. Сер.: Физ.-мат. науки. № 6.
Каримов Б.Х. Известия Томского политехнического университета, 2009. Т. 314, № 2.
Касимахунова А.М., Нурдинова Р.А. АФН-элементы с двойным лучепреломлением // Uzbek Jornal of Physics, 2017. Vol. 19, № 5. Pр. 302-306.
Материалы II Международной конференции «Оптические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». Фергана, 8-9 сентября 2011 г. С. 179.
Эргашев Ж. Изв. АН УзССР. Сер.: Физ.-мат. науки, 1978. № 2. С. 60.
Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979.
Равич Ю.И. Фотомагнитный эффект полупроводниках и его применение. М.: Советское радио, 1967.
Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника / под. ред. Э.И. Адировича. Ташкент: ФАН, 1972. С. 143-229.
Найманбоев Р. Изв. АН УзССР. Сер.: Физ.-мат. науки. № 6.
Каримов Б.Х. Известия Томского политехнического университета, 2009. Т. 314, № 2.
Касимахунова А.М., Нурдинова Р.А. АФН-элементы с двойным лучепреломлением // Uzbek Jornal of Physics, 2017. Vol. 19, № 5. Pр. 302-306.
Материалы II Международной конференции «Оптические явления в полупроводниковых микро- и наноструктурах». Фергана, 8-9 сентября 2011 г. С. 179.
Эргашев Ж. Изв. АН УзССР. Сер.: Физ.-мат. науки, 1978. № 2. С. 60.
Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979.
Ключевые слова:
аномальное фотонапряжение (АФН), фотоприемники, электрооптические и магнитооптические явления АФН-структурах, фотоэлектретное состояние.
Статьи по теме
