ИССЛЕДОВАНИЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР СО ВСТРЕЧНО ВКЛЮЧЕННЫМИ ПЕРЕХОДАМИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ИЗМЕРИТЕЛЯХ ЗАТУХАНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ МОЩНОСТИ
(Стр. 83-90)

Подробнее об авторах
Ёдгорова Дилбар Мустафаевна д-р техн. наук, профессор лаборатории «Приборостроение в области электроники, оптоэлектроники и фотоники»
ФТИ НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан Гиясова Феруза Абдиазизовна канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник лаборатории «Приборостроение в области электроники, оптоэлектроники и фотоники»
ФТИ НПО «Физика-Солнце» АН РУз. Ташкент, Узбекистан Закиров Руслан Гильмуллаевич инженер АиРЭО
авиапредприятие «Uzbekistan Airways Technics». Ташкент, Узбекистан
Оплатить 390 руб. (Картой) Оплатить 390 руб. (Через QR-код)

Нажимая на кнопку купить вы соглашаетесь с условиями договора оферты

Аннотация:
В настоящей работе, на основе экспериментальных данных, приведены результаты исследования оптико-электрических характеристик двухбарьерных фотодиодных Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структур, используемых в качестве приемников оптических сигналов, также приводятся их усилительные характеристики, а также рассмотрена возможность их применения в измерителях затухания оптической мощности.
Образец цитирования:
Ёдгорова Д.М., Гиясова Ф.А., Закиров Р.Г., (2018), ИССЛЕДОВАНИЕ МОДИФИЦИРОВАННЫХ ФОТОДИОДНЫХ СТРУКТУР СО ВСТРЕЧНО ВКЛЮЧЕННЫМИ ПЕРЕХОДАМИ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ИЗМЕРИТЕЛЯХ ЗАТУХАНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ МОЩНОСТИ. Computational nanotechnology, 2 => 83-90.
Список литературы:
Фриман Р.Л. Волоконно-оптические системы связи. М.: Техносфера, 2007. 514 с.
Волоконно-оптические датчики / Пер. с англ. / Под. ред. Э. Удда. М.: Техносфера, 2008. 502 с.
Каримов А.В. Трехбарьерный фотодиод Каримова. Авт. св-во № 167399 от 8 мая 1991 г.
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Гиясова Ф.А., Азимов Т.М., Бузруков У.М., Якубов А.А. Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур // ТКЭА, 2007. № 4. С. 23-29.
Игнатов А.Н. Оптоэлектронные приборы и устройства. М.: Эко-Трендз, 2006. 272 с.
Джанузакова Р.Д., Амангелды К. Применение метода двух точек для измерения затухания сигнала в пассивных элементах ВОЛС. http://www.Rusnauka.Com/9_Nmiw_2016/Tecnic/6_208379. Doc.Htm.
Ключевые слова:
оптический сигнал, фотодиод, фототранзистор, фоточувствительность, фотодиодная структура, метал- лополупроводниковый, двухбарьерный, мощность, гетеропереход, оптические характеристики.


Статьи по теме

3. Наноструктурированные материалы Страницы: 24-26 Выпуск №10450
ДВУХПЕРЕХОДНЫЕ AlxGa1-xP /GaP/ GayIn1-y P ФОТОДИОДЫ СЕЛЕКТИВНОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ В ФИОЛЕТОВОЙ И БЛИЖНЕ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ПОЛОСАХ СПЕКТРА
полупроводник гетероструктура фоточувствительность фотоэлектрические свойства гетерофотодиоды
Подробнее