ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ Si(Li) p-i-n ДЕТЕКТОРОВ ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ БОЛЬШИХ РАЗМЕРОВ
(Стр. 62-66)
Муминов Рамизулла Абдуллаевич
Раджапов Сали Аширович
Тошмуродов Ёркин Кахрамонович
Раджапов Бегжан Салиевич
Подробнее об авторах
Муминов Рамизулла Абдуллаевич
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан Раджапов Сали Аширович
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан Тошмуродов Ёркин Кахрамонович кандидат технических наук, доцент
Каршинский филиал Ташкентского института инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства Раджапов Бегжан Салиевич старший научный сотрудник
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан Раджапов Сали Аширович
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан Тошмуродов Ёркин Кахрамонович кандидат технических наук, доцент
Каршинский филиал Ташкентского института инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства Раджапов Бегжан Салиевич старший научный сотрудник
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз
Нажимая на кнопку купить вы соглашаетесь с условиями договора оферты
Аннотация:
В настоящей работе рассматриваются физико-технологические особенности изготовления Si(Li) детекторов ядерного излучения больших размеров (Ø≥60 мм, W=4 мм), когда для формирования необходимой Si(Li) структуры используется новый метод проведения процесса дрейфа ионов лития при помощи воздействия импульсного электрического поля.
Образец цитирования:
Муминов Р.А., Раджапов С.А., Тошмуродов Ё.К., Раджапов Б.С., (2016), ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ SI(LI) P-I-N ДЕТЕКТОРОВ ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ БОЛЬШИХ РАЗМЕРОВ. Computational nanotechnology, 1 => 62-66.
Список литературы:
Азимов С.А., Муминов Р.А., Шамирзаев С.Х. Яфасов А.Я. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения. -Ташкент.: Фан, 1981.-257с.
Рейви К.В. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. -М. Мир, 1984. -472 с.
Lazanu I., Lazanu S. Silicon detectors: from radiation hard devices operating beyond LHC conditions to the characterization of primary fourfold coordinated vacancy defects //Rom. Repts. Phys. 2008. - V. 57. -N. 3. -pp.345-355
Азимов С.А. Муминов Р.А. Байзаков Б.Б., и др. Полупроводниковые детекторы бета - излучения большой площади.// Атомная энергия. -Москва, 1986. -Т. 60. - Вып.2. -С.144-146.
R.A. Muminov, S.A. Radzhapov, N.A. Sagyndykov and K.M. Nurbaev Salient feartures of the fabrication of Si(Li) detectors with a large-volume working region // Atomic Energy. - New York, Vol. 98, No. 1, 2005, pp. 69-71.
S.A. Radzhapov A Versatile Spectrometer Based on a Large-Volume Si(Li) p-i-n Structure // Instruments and Experimental Techiques.- New York, 2007, Vol. 50, No. 4, pp. 452-454.
R.A. Muminov, S.A. Radzhapov, and A.K. Saimbetov Developing Si(Li) Nuclear Radiation Detectors by Pulsed Electeic Field Treatment //Technical Physics Letters.- New York, 2009, Vol. 35, No. 8, pp. 768-769.
R.A. Muminov, S.A. Radzhapov and N.A. Sagyndykov A low-background β-ray spectrometer with composite detecting modules // Instruments and Experimental Techiques.- New York , Vol. 48, No. 1, 2005, pp. 41-42.
Рейви К.В. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. -М. Мир, 1984. -472 с.
Lazanu I., Lazanu S. Silicon detectors: from radiation hard devices operating beyond LHC conditions to the characterization of primary fourfold coordinated vacancy defects //Rom. Repts. Phys. 2008. - V. 57. -N. 3. -pp.345-355
Азимов С.А. Муминов Р.А. Байзаков Б.Б., и др. Полупроводниковые детекторы бета - излучения большой площади.// Атомная энергия. -Москва, 1986. -Т. 60. - Вып.2. -С.144-146.
R.A. Muminov, S.A. Radzhapov, N.A. Sagyndykov and K.M. Nurbaev Salient feartures of the fabrication of Si(Li) detectors with a large-volume working region // Atomic Energy. - New York, Vol. 98, No. 1, 2005, pp. 69-71.
S.A. Radzhapov A Versatile Spectrometer Based on a Large-Volume Si(Li) p-i-n Structure // Instruments and Experimental Techiques.- New York, 2007, Vol. 50, No. 4, pp. 452-454.
R.A. Muminov, S.A. Radzhapov, and A.K. Saimbetov Developing Si(Li) Nuclear Radiation Detectors by Pulsed Electeic Field Treatment //Technical Physics Letters.- New York, 2009, Vol. 35, No. 8, pp. 768-769.
R.A. Muminov, S.A. Radzhapov and N.A. Sagyndykov A low-background β-ray spectrometer with composite detecting modules // Instruments and Experimental Techiques.- New York , Vol. 48, No. 1, 2005, pp. 41-42.
Ключевые слова:
полупроводниковый Si(Li) p-i-n детектор, монокристаллический кремний, диффузия, дрейф, литий, чувствительная область.
Статьи по теме
Письма в редакцию Страницы: 68-71 DOI: 10.33693/2313-223X-2020-7-4-68-71 Выпуск №17956
Математическое моделирование диффузионного процесса полупроводникового детектора
диффузия
дрейф
поверхностная концентрация
диффузия
активация
Подробнее
4. Плазменные, высокочастотные, микроволновые и лазерные технологии Страницы: 27-28 Выпуск №10450
ДЕТЕКТОРЫ РЕНТГЕНОВСКОГО И ГАММА ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ Al-nGe-pSi-Au СТРУКТУРЫ
полупроводниковый Al-nGe-pSi-Au детектор
монокристаллический кремний
чувствительная область
«мертвый» слой
Подробнее
ПЛАЗМЕННЫЕ, ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ, МИКРОВОЛНОВЫЕ И ЛАЗЕРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Страницы: 136-137 Выпуск №8242
ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ НЕЙТРОНО-ЛЕГИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
монокристаллический кремний
нейтронно-легированный кремний
«входные» и «выходные» окна детектора
деградация
энергетическое разрешение
Подробнее
05.14.01 ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ И КОМПЛЕКСЫ Страницы: 65-68 Выпуск №15557
РАЗРАБОТКА РАДОНОМЕТРА НА ОСНОВЕ КРЕМНИЕВЫХ ДЕТЕКТОРОВ С БОЛЬШОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ ПЛОЩАДЬЮ
монокристаллический кремний
полупроводниковые детекторы
радиометр
радон
альфа-частицы
Подробнее
05.14.08 ЭНЕРГОУСТАНОВКИ НА ОСНОВЕ ВОЗОБНОВЛЯЕМЫХ ВИДОВ ЭНЕРГИИ Страницы: 112-116 DOI: 10.33693/2313-223X-2019-6-3-112-115 Выпуск №15633
РАЗРАБОТКА КРЕМНИЕВЫХ ДИФФУЗИОННЫХ n-p-ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
монокристаллический кремний
кремниевые диффузионные детекторы
альфа-излучение
бетта-излучение
гамма-излучение
Подробнее
05.14.08 ЭНЕРГОУСТАНОВКИ НА ОСНОВЕ ВОЗОБНОВЛЯЕМЫХ ВИДОВ ЭНЕРГИИ Страницы: 157-159 DOI: 10.33693/2313-223X-2019-6-2-157-159 Выпуск №15585
КРЕМНИЙ-ЛИТИЕВЫЕ ΔE-ДЕТЕКТОРЫ АЛЬФА-ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ РАДИОМЕТРА
монокристаллический кремний
полупроводниковые детекторы
радиометр
альфа-излучение
Подробнее
